功能描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? M2

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：34nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1360pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：169W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 10A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：1

STB26NM60N

STB26NM60ND

STB270N04

STB270N04-1

STB270N4F3

STB27NM60ND

STB28N60M2

STB28N65M2

STB28NM50N

STB28NM60ND